新洁能推出增强型N沟道MOSFET系列产物 具备较优的新洁T系鲁棒性
以NCE011N30GU为例，新洁T系运用新洁能特有的出增沟槽型工艺平台，小线宽妄想，强型为市场提供经济高效的列产产物处置妄想。具备较优的新洁T系鲁棒性，
产物优势
接管超高元胞密度、出增器件经由100% 雪崩测试，强型系列产物具备超高电流密度，列产产物功能卓越，新洁T系 导通电阻典型值低至0.75mR,出增不断电流ID高达325A,优异的参数展现揭示了沟槽型芯片妄想以及封装等工艺的技术实力。
强型产物特色
强型○ 高功电流密度
强型○ 超低导通阻抗
强型○ 高散热功能
强型○ 高坚贞性
强型新洁能研发团队沟槽型工艺平台推出耐压30V 1mΩ级别增强型N沟道MOSFET系列产物。列产超高抗雪崩击穿能耐以及高坚贞性展现，新洁T系搭配优化后的出增大电流产物封装工艺，
本文地址：http://dh.eg-ru.cn/html/90b1399896.html
版权声明
本文仅代表作者观点，不代表本站立场。
本文系作者授权发表，未经许可，不得转载。